Connaissez-vous la ReRAM ?

[Macadam]

Un sujet très intéressant !
La ReRAM, ou mémoire résistive, est une technologie de stockage électronique dont les premières études remontent aux années 70. Bien qu’elle n’ait pas encore été généralisée, plusieurs géants du secteur tels qu’IBM, Intel et Samsung travaillent d’arrache-pied sur son développement, déposant des brevets et investissant massivement dans la recherche.

Actuellement, les différents types de mémoire électronique tels que les disques durs (HDD), les SSD ou encore la mémoire vive (RAM) ont chacun leurs contraintes, en termes de latence, d’espace ou de consommation d’énergie. La ReRAM, en revanche, se distingue par ses performances et ses propriétés uniques, qui laissent entrevoir des applications aussi bien pour les particuliers que pour les entreprises.

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[Marcel_By_mtr]

Ahhhh oui, moi je connais NAnana... voir QdN sem19
Je regarde régulièrement le chanel @Underscore_ C'est plein d'info à la pointe de l'actualité IT

 

[Macadam]

J'avais complétement zappé !

Je regarde régulièrement le chanel @Underscore_ C'est plein d'info à la pointe de l'actualité I

Superbe chaine.

 

[Marcel_By_mtr]

Superbe chaine.

Oui, il sont vraiment très professionnel, il ont toujours des invités qui connaissent parfaitement les sujets dont ils parlent.

 

[Macadam]

Je vois qu'on est branché même canal

 

[Marcel_By_mtr]

Je vois qu'on est branché même canal

La bonne information ne se trouve pas partout, il faut savoir la chercher et la recouper.
Aujourd'hui, 99% font du blabla, ils nous faut donc trouver le petit 1% de bon.

C'est au travers de ces petit détails que l'on détecte les passionnés et tu en fait partie.
Bien à toi Jimmy.

 

[Macadam]

Mon autre passion, ce weekend à Spa.
La dernière fois que je suis allé, c'était en 1992. j'ai encore les tickets d'entrée.

 

[Sylvain*]

La mémoire ReRAM, ou Résistive Random-Access Memory (mémoire à accès aléatoire résistive), est une forme de mémoire non volatile qui utilise des matériaux dont la résistance peut être modifiée et lue pour stocker et récupérer des données. La ReRAM est souvent considérée comme l'un des candidats prometteurs pour remplacer ou compléter les technologies de mémoire traditionnelles comme la DRAM (Dynamic Random-Access Memory) et la NAND Flash.
Voici quelques points clés sur la ReRAM :

1. Principe de fonctionnement : La ReRAM fonctionne en changeant la résistance d'un matériau spécifique. Les cellules de ReRAM peuvent être amenées à un état de haute ou de faible résistance électrique (respectivement appelés HRS et LRS), et ces états sont utilisés pour représenter les données binaires (0 et 1).
2. Structure : La cellule ReRAM typique est composée d'un matériau résistif entre deux électrodes. Lorsqu'un certain voltage est appliqué à cette structure, une rupture ou une formation de filament conducteur se produit, modifiant ainsi la résistance du matériau.
3. Avantages :
   • Consommation d'énergie : La ReRAM consomme généralement moins d'énergie que les technologies de mémoire traditionnelles, en particulier lors de l'écriture des donn
   • Densité : La ReRAM a le potentiel d'offrir une densité de stockage supérieure à celle de la NAND Flash, car elle peut être fabriquée avec des techniques de superposition tridimensionnelle.
   • Endurance : Elle peut supporter un plus grand nombre de cycles d'écriture/effacement par rapport à d'autres formes de mémoires non volatiles.
   • Vitesse : La ReRAM est généralement plus rapide que la NAND Flash en termes de temps d'accès.
4. Applications : En raison de ses avantages, la ReRAM est étudiée pour diverses applications, y compris pour le stockage principal (comme alternative à la DRAM), pour le stockage non volatile (comme alternative ou complément à la NAND) et même pour des applications émergentes comme les réseaux neuronaux matériels où la mémoire résistive peut être utilisée pour simuler des synapses.
5. Défis : Malgré son potentiel, la ReRAM doit encore surmonter certains défis, notamment en ce qui concerne la fiabilité, la durabilité sur le long terme et la standardisation des processus de fabrication.

La ReRAM, ainsi que d'autres technologies de mémoires émergentes comme la phase-change memory (PCM) ou la spin-transfer torque magnetic RAM (STT-MRAM), sont des sujets actifs de recherche et de développement dans l'industrie des semi-conducteurs. Ces technologies visent à répondre à la demande croissante en capacité de stockage et en performance, tout en surmontant les limites physiques et économiques des technologies de mémoire existantes.

 

[Sylvain*]

La mémoire STT-MRAM, ou Spin-Transfer Torque Magnetic Random-Access Memory (Mémoire à accès aléatoire magnétique à couple de transfert de spin), est une technologie de mémoire qui combine les avantages des mémoires magnétiques non volatiles avec ceux des mémoires rapides telles que la SRAM (Static Random-Access Memory) ou la DRAM (Dynamic Random-Access Memory). Elle est basée sur les principes de la magnétorésistance géante et du couple de transfert de spin.
Voici une explication détaillée de la STT-MRAM:

1. Principe de fonctionnement : Au cœur de chaque cellule STT-MRAM se trouve un élément magnétorésistif, généralement composé de deux couches magnétiques séparées par une fine couche d'isolant. Une des couches magnétiques a une orientation de spin fixe, tandis que l'autre (la couche "free") peut avoir son orientation modifiée. Le changement d'orientation du spin de la couche libre permet de stocker des informations binaires (0 ou 1).
2. Écriture et Lecture :
   • Écriture : L'information est écrite en utilisant le phénomène de "spin-transfer torque". Lorsqu'un courant électrique est envoyé à travers l'élément magnétorésistif, il transfère son moment angulaire aux spins de la couche libre, modifiant ainsi leur orientation. En fonction de la direction du courant, l'orientation de la couche libre peut être alignée (état "0") ou anti-alignée (état "1") par rapport à la couche fixe.
   • Lecture : La résistance de l'élément magnétorésistif change selon que la couche libre est alignée ou anti-alignée par rapport à la couche fixe. Ce changement de résistance est détecté lors de la lecture, indiquant l'état binaire de la cellule.
3. Avantages :
   • Non-volatile : Comme elle est basée sur des propriétés magnétiques, la STT-MRAM conserve ses données même lorsque l'alimentation est coupée.
   • Vitesse : Elle offre des temps d'accès comparables à ceux des mémoires RAM traditionnelles.
   • Endurance : Elle peut supporter un grand nombre de cycles d'écriture sans se dégrader.
   • Faible consommation : Elle consomme moins d'énergie que d'autres formes de mémoires non volatiles.
4. Applications : En raison de ses caractéristiques, la STT-MRAM est envisagée pour diverses applications, allant des caches mémoire dans les processeurs, aux dispositifs de stockage, en passant par les applications nécessitant une grande endurance.
5. Défis : Bien que la STT-MRAM ait de nombreux avantages, des défis subsistent en ce qui concerne la réduction de la taille des cellules, l'amélioration de la densité de stockage et la réduction de la consommation énergétique pour l'écriture.

La STT-MRAM fait partie des technologies de mémoire émergentes qui visent à combler le fossé entre la mémoire vive (rapide mais volatile) et la mémoire de stockage (lente mais non volatile), tout en répondant aux besoins croissants en termes de performance, d'efficacité énergétique et de densité de stockage.

 

[Sylvain*]

La NAND est une technologie de mémoire flash, qui est une forme de mémoire non volatile. Cela signifie que les données qu'elle stocke ne sont pas perdues lorsque l'alimentation est coupée. Elle est largement utilisée dans divers dispositifs de stockage, notamment les clés USB, les cartes SD, les SSD (Solid State Drives) et les modules de stockage dans les smartphones et les tablettes.
Voici quelques éléments clés à propos de la mémoire NAND :

1. Fonctionnement : La mémoire NAND est composée de cellules qui contiennent des transistors. Ces transistors n'ont pas de grille de contrôle, contrairement à ceux des mémoires DRAM ou SRAM. Au lieu de cela, ils utilisent un effet de grille flottante. Le chargement ou le déchargement de cette grille flottante modifie les propriétés du transistor, permettant ainsi de stocker des données.
2. Les types :
   • SLC (Single-Level Cell) : Chaque cellule stocke 1 bit d'information. C'est le type de NAND le plus rapide et le plus durable, mais aussi le plus coûteux en termes de coût par gigabyte.
   • MLC (Multi-Level Cell) : Chaque cellule stocke 2 bits d'information. Elle a une densité de stockage plus élevée que la SLC, mais est généralement plus lente et moins durable.
   • TLC (Triple-Level Cell) : Chaque cellule stocke 3 bits d'information. Elle a une densité encore plus grande, mais à la fois la vitesse et la durabilité peuvent être compromises.
   • QLC (Quad-Level Cell) : Chaque cellule stocke 4 bits d'information. Elle offre la plus grande densité, mais peut présenter des défis en matière de durabilité et de vitesse.
3. Avantages :
   • Non-volatile : Les données sont conservées même après la mise hors tension.
   • Densité élevée : Permet de stocker une grande quantité de données dans un espace réduit, ce qui est idéal pour les dispositifs portables.
   • Sans pièces mobiles : Contrairement aux disques durs (HDD), les SSD basés sur la NAND sont silencieux, plus robustes et plus rapides en accès.
4. Inconvénients:
   • Endurance limitée : La mémoire NAND a un nombre limité de cycles d'écriture/effacement avant que les cellules ne commencent à se dégrader. Toutefois, pour la plupart des utilisateurs, cela n'est généralement pas un problème pendant la durée de vie utile du dispositif.
   • Détérioration avec le temps : Même sans écriture, une cellule NAND peut perdre ses données au fil du temps, en particulier si elle est stockée dans des conditions de température élevée.
5. Applications : La NAND est la technologie dominante pour le stockage flash en raison de sa haute densité et de son faible coût par bit. Elle est utilisée dans presque tous les dispositifs nécessitant du stockage non volatile, des simples clés USB aux solutions de stockage d'entreprise en passant par les dispositifs mobiles.

La demande croissante de capacité de stockage, associée à la nécessité de réduire la consommation d'énergie et d'améliorer les performances, a conduit à des innovations continues dans la technologie NAND, avec des progrès en matière de densité de stockage, d'efficacité et de vitesse.

 

[Sylvain*]

La mémoire PCM (Phase-Change Memory) est une technologie de mémoire non volatile qui utilise des matériaux à changement de phase pour stocker et récupérer des données. Ces matériaux peuvent passer d'un état amorphe (désordonné) à un état cristallin (ordonné) et vice-versa. La mémoire PCM exploite ces différentes phases, qui ont des propriétés de résistance électrique distinctes, pour représenter les bits d'information.
Voici une explication détaillée de la mémoire PCM:

1. Principe de fonctionnement : La mémoire PCM utilise un matériau à changement de phase, généralement un alliage de germanium, d'antimoine et de tellure (Ge2Sb2Te5 ou GST). En appliquant des impulsions de chaleur à ce matériau (généralement via un courant électrique), il peut être rapidement chauffé puis soit refroidi lentement (le rendant cristallin) soit refroidi très rapidement (le rendant amorphe). Ces deux états ont des résistances électriques différentes, permettant de représenter les valeurs binaires 0 et 1.
2. Écriture et Lecture :
   • Écriture : Pour écrire des données, une impulsion de courant est utilisée pour chauffer le matériau. Si le matériau est chauffé puis refroidi rapidement, il devient amorphe. S'il est chauffé puis refroidi lentement, il revient à son état cristallin.
   • Lecture : Pour lire les données, une faible tension est appliquée pour mesurer la résistance du matériau, qui diffère entre les états amorphe et cristallin.
3. Avantages :
   • Non-volatile: Comme la NAND et d'autres mémoires non volatiles, la PCM conserve ses données même lorsqu'elle n'est pas alimentée.
   • Vitesse : Elle est généralement plus rapide que la NAND pour l'écriture et la lecture.
   • Endurance : La PCM peut subir un grand nombre de cycles d'écriture/effacement, souvent plus que la NAND.
   • Scalabilité : Elle a le potentiel d'être miniaturisée davantage que certaines autres formes de mémoires non volatiles.
4. Défis :
   • Coût : Historiquement, la PCM a été plus coûteuse à produire que la NAND.
   • Consommation d'énergie : Bien que la PCM puisse être rapide, elle peut consommer plus d'énergie que d'autres technologies lors des opérations d'écriture.
5. Applications: En raison de ses caractéristiques, la PCM est envisagée pour diverses applications, allant du stockage non volatile (comme alternative ou complément à la NAND) à la mémoire vive pour des applications nécessitant de meilleures performances et une meilleure endurance que la DRAM ou la NAND.

La mémoire PCM est l'une des nombreuses technologies émergentes de mémoire non volatile qui cherchent à combler le fossé entre le stockage lent mais de grande capacité (comme la NAND) et la mémoire rapide mais volatile (comme la DRAM). Elle offre un compromis intéressant en termes de vitesse, d'endurance et de densité.

 

[Macadam]

Il existe également aussi la PRAM sur les Mac (acronyme anglais de Parameter Random Access Memory)

 

[Sylvain*]

La mémoire PRAM (Phase-Change Random Access Memory), également appelée PCM (Phase-Change Memory), est une forme de mémoire non volatile qui utilise des matériaux à changement de phase pour stocker des données. Ces matériaux peuvent changer rapidement entre un état amorphe (désordonné) et un état cristallin (ordonné) en réponse à une impulsion électrique. Ces deux états représentent respectivement les bits "0" et "1".
Voici quelques points clés concernant la PRAM :

1. Fonctionnement : La PRAM stocke les données en changeant la phase du matériau, généralement un alliage chalcogénide comme le Ge2Sb2Te5 (GST). L'état cristallin a une faible résistance, tandis que l'état amorphe a une résistance élevée. L'impulsion électrique fournie permet au matériau de changer de phase, soit en le chauffant rapidement pour le rendre amorphe, soit en le chauffant plus lentement pour le rendre cristallin.
2. Avantages :
   • Rapidité : La PRAM peut être plus rapide que les mémoires flash NAND traditionnelles en termes de temps d'écriture.
   • Endurance : Elle offre une meilleure endurance que la NAND, capable de subir des milliards de cycles d'écriture.
   • Conservation des données : En tant que mémoire non volatile, la PRAM peut conserver des données même en l'absence d'alimentation électrique.
3. Défis :
   • Coût : La production à grande échelle de PRAM peut être coûteuse.
   • Densité : Bien que la PRAM soit prometteuse, la densité de stockage des mémoires flash NAND a continuellement augmenté, rendant le remplacement de la NAND par la PRAM moins urgent.
4. Candidatures : Au-delà de l'utilisation potentielle en tant que mémoire de stockage principal, la PRAM est également étudiée pour des applications comme la mémoire cache ou la mémoire principale en raison de sa vitesse et de son endurance.
5. Développement : Plusieurs entreprises, dont Intel et Micron, ont travaillé sur la technologie de changement de phase. Comme mentionné précédemment, Intel et Micron ont collaboré pour développer la technologie 3D XPoint, qui est basée sur des principes similaires à la PRAM, bien que les détails exacts de la technologie 3D XPoint n'aient pas été entièrement divulgués.

La PRAM est l'une des nombreuses technologies en lice pour combler le fossé entre la mémoire vive rapide (RAM) et le stockage non volatile plus lent, offrant ainsi la perspective d'une "mémoire universelle" qui pourrait remplir les deux rôles simultanément.

 

[Sylvain*]

La mémoire 3D XPoint (prononcée "three dee cross point") est une technologie de mémoire non volatile co-développée par Intel et Micron. Elle a été annoncée pour la première fois en 2015. La technologie 3D XPoint se positionne entre la DRAM (Dynamic Random Access Memory) et la mémoire NAND en termes de vitesse, de coût et de densité, offrant des performances nettement meilleures que la NAND tout en étant non volatile.
Voici quelques caractéristiques et points d'intérêt concernant la mémoire 3D XPoint :

1. Performance : 3D XPoint est significativement plus rapide que la mémoire NAND flash traditionnelle, surtout en ce qui concerne le temps de latence. Elle n'atteint pas toutefois la vitesse de la DRAM, mais elle a l'avantage d'être non volatile.
2. Endurance : Cette technologie a une endurance supérieure à celle de la NAND, ce qui signifie qu'elle peut supporter plus de cycles d'écriture/effacement avant que le matériel ne commence à défaillir.
3. Fonctionnement : Contrairement à la NAND, qui stocke des données en piégeant des charges électriques dans des cellules, la technologie 3D XPoint utilise une grille tridimensionnelle où les données sont stockées via des changements de résistance dans le matériau. Les détails exacts de son fonctionnement ont été gardés relativement secrets par Intel et Micron.
4. Candidatures :
   • Optane : Intel a commercialisé des produits basés sur la technologie 3D XPoint sous la marque "Optane". Cela inclut des SSD Optane pour le stockage et des modules Optane DC Persistent Memory pour une utilisation à proximité du CPU dans les serveurs, où ils peuvent être utilisés comme une extension de la RAM ou comme un cache rapide.
   • Les produits basés sur la technologie 3D XPoint sont particulièrement utiles pour des charges de travail nécessitant une grande capacité de mémoire, de faibles latences et une haute endurance, comme certaines bases de données ou des applications d'analyse en temps réel.
5. Défis : Bien que la 3D XPoint offre de nombreux avantages, son coût par gigabyte reste plus élevé que celui de la NAND, bien qu'il soit en baisse avec le temps et l'évolution de la technologie.
6. Avenir: Après l'annonce initiale et la commercialisation des premiers produits, il y a eu des évolutions dans la collaboration entre Intel et Micron. En 2018, les deux entreprises ont annoncé leur intention de mettre fin à leur partenariat de développement de la 3D XPoint, bien qu'elles continuent à produire et développer la technologie séparément.

La technologie 3D XPoint est une avancée significative dans le domaine du stockage et de la mémoire, car elle offre une combinaison de vitesse, d'endurance et de non-volatilité. Elle montre le potentiel d'améliorer de nombreuses applications informatiques, de l'analyse de données à grande échelle aux jeux vidéo.

 

[mathieu89]

bonsoir
sujet intéressent a voir si cela va sortir un jour

 

[Marcel_By_mtr]

Mon autre passion, ce weekend à Spa.

Je ne suis pas un passionné mais j'aime bien les sports mécanique en général pour leurs côté... Belle machine.
En plus le circuit de Spa et la région sont vraiment très beaux.